Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
Page(s) C7-399 - C7-405
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981749
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors

J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-399-C7-405

DOI: 10.1051/jphyscol:1981749

NON MAXWELLIAN ELECTRON DISTRIBUTION FUNCTION IN GaAs

G. Lindemann et E. Gornik

Institut für Experimentalphysik, Universität Innsbruck, Austria


Résumé
La distribution des électrons chauds est étudiée dans l'AsGa de type n d'une qualité très pure. Les électrons sont stimulés par des champs électriques continus dans des champs magnétiques. L'émission cyclotron, qui en résulte, est analysée par des détecteurs photoconducteurs d'une résolution de 0.25 cm-1. En configuration E/ /B les températures des électrons, distribués entre des niveaux de Landau, s'élèvent extrêmement jusqu'à 180 K. La distribution des électrons devrait dévier considérablement d'une loi maxwellienne. La bande d'électrons diffère d'une parabole plus que prédit théoriquement.


Abstract
Hot electron distribution functions in a magnetic field are investigated in high purity n-type GaAs. The electrons are excited by d.c. electric fields and the resulting Cyclotron emission is analysed with narrowband photoconductive detectors with a resolution of 0.25cm-1. Extremely high interband electron temperatures up to 180K are observed in the E/ /B configeration indicating strong deviations from a Maxwellian type distribution function. The nonparabolicity of the conduction band is found to be considerably stronger than theoretically predicted.