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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-177 - C7-181 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981720 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-177-C7-181
DOI: 10.1051/jphyscol:1981720
Institut d'Electronique Fondamentale, Bâtiment 220, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-177-C7-181
DOI: 10.1051/jphyscol:1981720
UNIDIMENSIONAL PARTICULE MODEL OF CONDUCTION IN N TYPE GaAs AT LOW TEMPERATURE : CONTACTS INFLUENCE
P. Hesto, J.F. Pone et R. CastagnéInstitut d'Electronique Fondamentale, Bâtiment 220, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
Résumé
Nous décrivons un modèle particulaire unidimensionnel utilisé pour modéliser la conduction électronique dans une couche de 4000 Å d'AsGa de type N à 77 K. Nous envisageons différentes conditions d'injection, présentons les résultats obtenus et proposons une caractérisation possible du transport balistique.
Abstract
We discribe a unidimensional particle model of electronic conduction in a 4000 Å N type layer of GaAs at 77 K. We study the contact influence, show some results and propose a possible characterisation of the ballistic transport.