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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-171 - C5-176 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980529 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-171-C5-176
DOI: 10.1051/jphyscol:1980529
MIXED VALENT SEMICONDUCTORS : SmB6
J. W. Allen et R. M. MartinXerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, California, USA
Résumé
Nous présentons des arguments expérimentaux et théoriques étayant l'hypothèse que SmB6 est un semiconduteur de valence uniformément mixte (c'est à dire de valence intermédiaire et aux sites équivalents). Il est souligné que les expériences sur propriétés de transport impliquent que la surface de Fermi est soit extrémement petite, soit non-existante. Des considérations théoriques générale indiquent la possibilité de l'existence d'un gap situé au niveau de Fermi.
Abstract
An overview is given of the experimental and theoretical evidence that SmB6 is a homogeneously mixed valent semiconductor. It is emphasized that the experimental transport properties imply that the Fermi surface is either extremely small or non-existent, and that rather general theoretical considerations support the possibility of a gap at the Fermi level.