| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C6-133 - C6-137 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979627 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-133-C6-137
DOI: 10.1051/jphyscol:1979627
Laboratoire de Physique du solide, ENSMIM, Institut National Polytechnique de Lorraine, Nancy, France.
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-133-C6-137
DOI: 10.1051/jphyscol:1979627
MEASUREMENTS OF THE DISLOCATION VELOCITIES IN SILICON
A. GeorgeLaboratoire de Physique du solide, ENSMIM, Institut National Polytechnique de Lorraine, Nancy, France.
Résumé
L'influence de la température, de la contrainte appliquée et du dopage sur les vitesses des dislocations vis et à 60° dans le silicium est résumée. La vitesse des dislocations vis à faible contrainte et les différences de vitesses observées pour les deux dislocations à 60° d'une demi boucle sont présentées plus en détail.
Abstract
The dependence of the velocities of screw and 60° dislocations in silicon upon temperature, stress and doping concentration is reviewed. The velocity of screw dislocations at low stresses and the different velocities observed for the two 60° dislocations of a half-loop are discussed in some detail.