ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR L'IMPLANTATION DE Zn⁺ DE 1 MeV

Résumé
Le profil de défauts résultant du bombardement ionique d'un monocristal est d'un grand intérêt pour de nombreuses applications. Nous avons utilisé la méthode de rétrodiffusion à grand angle d'ions He⁺ de 1,5 MeV canalisés, pour étudier la distribution des centres de diffusion créés par l'implantation à 77 K d'ions Zn⁺ de 1 MeV dans GaAs. Nous avons analysé les spectres de rétrodiffusion à l'aide des calculs de diffusion plurale de Keil et de Meyer et de l'approximation linéaire de Ziegler. Les résultats de ces mesures peuvent se résumer ainsi : Les calculs de Keil et Meyer vérifiés sur des couches évaporées de Ge, ne donnent pas de très bons résultats dans le cas de nos spectres : les phénomènes de diffusion des ions du faisceau d'analyse ne sont pas les mêmes sur une zone endommagée que sur un film amorphe. Le pic et la largeur de la distribution de défauts sont en bon accord avec les calculs théoriques de Sigmund et Sanders sur le profil d'énergie déposée par les ions dans les solides. Nous montrons qu'il est nécessaire de tenir compte de l'énergie transportée par les atomes déplacés loin de leur position primitive.

Abstract
The depth profile of the lattice disorder resulting from ion bombardment of single crystal is of interest in many applications. Channeling effects on the yield of large angle backscattered 1,5 MeV He⁺ were used to investigate the scattering centers distributions in 1 MeV zinc implanted gallium arsenide at substrate temperature of 77 K. We have used the plural scattering treatments of Keil and Meyer and the linear scattering approximation of Ziegler to analyse the spectra. The results of the measurements may be summarized as follows : The treatments of Keil and Meyer, verified on evapored layers of Ge, do not work fairly well in our case : the scattering effects of the analyzing beam were not the same on a damaged region and on an amorphous film. The peak and the width of the damage distribution agree with the Sigmund Sanders's theorical calculations of the distribution of energy deposited by ions in solids. The necessity of taking the energy transported by recoils away from their point of origin into account is demonstrated.