J. Phys. Colloques 51, C1-167-C1-172 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:1990125
HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY OF INTERFACES IN CVD β-SiC
S. HAGÈGE1, D. SHINDO2, K. HIRAGA2 et M. HIRABAYASHI21 ENSCP-Paris and CNRS/CECM, F-94407 Vitry, France
2 Institute for Materials Research, Tohoku University Sendai, 980, Japan
Abstract
Les interfaces présentes dans un carbure de silicium préparé par CVD ont été analysées par microscopie électronique en transmission, mode haute résolution. A partir d'une approche géométrique de la coïncidence des joints de grains, agrémentée de considérations de symétrie, les modèles de structure atomique des fautes d'empilements et des macles Σ3, Σ9, dans la structure cubique de β-SiC, ont été développés et confrontés aux images expérimentales, par l'intermédiaire d'une simulation d'images haute résolution
Abstract
Interfaces in CVD β-SiC have been analysed by high resolution electron microscopy. Models for the atomic structure of stacking faults, Σ3 and Σ9 twins in β SiC structure have been derived from the geometric approach of coincidence grain boundaries and symmetry considerations. These models have been checked and compared to the experimental results through high resolution image simulation.