EXCITON TRANSFER IN GaAS_xP_1-x : N

Résumé
Les mécanismes de transfert à basse température entre les états localisés sont étudiés par l'excitation sélective à l'intérieur de la bande non uniformément élargie des excitons liés aux impuretés azote dans GaAs_xP_1-x : N. Le mécanisme de transfert dominant est celui d'un tunneling par phonons acoustiques. Le coefficient de transfert est bien plus rapide que le coefficient de recombinaison radiative. Les formes des raies observées par excitation sélective, peut s'expliquer par la dépendance en énergie de l'interaction entre exciton et phonons, et par l'existence d'un "état final" d'où l'exciton ne peut effectuer un effet tunnel. Ces états sont directement observés par l'émission depuis la ligne spectrale la plus basse B' (J=2). Cette interprétation est confirmée par la levée de dégénérescence Zeeman quand un champ magnétique est appliqué.

Abstract
Selective excitation within the inhomogeneously broadened band of excitons bound to nitrogen impurities in GaAs_xP_1-x : N is used to study the low temperature transfer between localized states. The dominant transfer mechanism is by acoustic phonon-assisted tunneling. The transfer rate is much faster than the radiative recombination rate. The lineshapes observed under selective excitation can be explained by the energy dependence of the exciton-phonon interaction and the existence of "terminal states" from which the exciton cannot tunnel. These states are directly observed via the emission from the lower B'-line (J=2). This interpretation is further confirmed by its Zeeman splitting in an applied magnetic field.