J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-83-C9-87
DOI: 10.1051/jphyscol:1984915
PULSED-LASER STIMULATED FIELD EVAPORATION OF SILICON A PHOTOEXCITATION EFFECT AND CLUSTER ION FORMATION*
T.T. TsongPhysics Department, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, U.S.A.
Résumé
L'évaporation de champ stimulée par impulsion laser produit des ions moléculaires de 3 à 16 atomes par amas. Les nombres magiques sont 4, 5, 6 et 13 qui correspondent à des unités petites et à forte symétrie des atomes dans un cristal de Si. Un effet de photoexcitation a également été observé.
Abstract
Pulsed-laser stimulated field evaporation produces cluster ions of 3 to 16 atoms per cluster. The magic numbers are 4, 5, 6 and 13 which correspond to small, higly symmetric units of atoms in a Si crystal. A photoexcitation effect has also been found.




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