| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-119 - C2-123 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984227 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-119-C2-123
DOI: 10.1051/jphyscol:1984227
LAB ICM/MPA, CNET, B.P. 40, 22301 Lannion, France
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-119-C2-123
DOI: 10.1051/jphyscol:1984227
APPLICATION OF CESIUM PRIMARY BEAM TO THE CHARACTERIZATION OF III.V SEMICONDUCTORS BY SIMS
M. Gauneau, R. Chaplain et A. RupertLAB ICM/MPA, CNET, B.P. 40, 22301 Lannion, France
Résumé
Ce travail décrit, d'une part, les profils en profondeur des éléments : C, Si, O, S, Se, dans du phosphure d'indium non recuit, d'autre part le comportement après recuit, des dopants résiduels : Fe, Zn, dans des substrats implantés Si, Se, ou diffusés zinc. L'utilisation d'un faisceau d'ions césium permet d'obtenir une description précise des profils pour les éléments ayant une grande affinité électronique.
Abstract
This paper reports depth profiles of unannealed C, Si, O, S, Se implants in indium phosphide, and describes the comportment of bulk dopants (Zn, Fe) in Si, Se-implanted, or Zn - diffused layers. The use of cesium primary beams allows to obtain well depicted profiles for these elements having a strong electron affinity.