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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-303 - C5-310 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982535 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-303-C5-310
DOI: 10.1051/jphyscol:1982535
GaAs METAL ORGANICS VAPOUR PHASE EPITAXY : RESIDUAL CARBON
B. el Jani, M. Leroux, J.C. Grenet et P. GibartLaboratoire de Physique du Solide-Energie Solaire, CNRS, B.P. 1, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, France
Résumé
Les couches de GaAs élaborées à partir de triméthylgallium (TMG) et d'Arsine (AsH3) contiennent du carbone résiduel qui s'incorpore essentiellement sous forme d'accepteur. Les spectres de photoluminescence présentent en dehors des faits habituels un pic à 1.477 eV, qui est d'autant plus intense que le rapport As/Ga dans la phase vapeur est élevé. Un recuit sous mélange H2 + AsH3 augmente l'intensité de ce pic. Des couches de GaAs ont été élaborées avec un excès de CH4. Ceci donne des couches très compensées. Le pic à 1.477 eV existe dans tous ces échantillons. La cinétique de croissance est profondément modifiée par l'excès de méthane.
Abstract
GaAs grown from trimethylgallium (TMG) and arsine (AsH3) countaing residual carbon C. It is mostly incorporated essentialy as acceptor. Photoluminescence spectra exhibit besides the usual features a peak at 1.477 eV the higher the greater the ratio As/Ga. Annealing under H2 + AsH3 enhances the intensity of this peak. GaAs layers were grown with excess CH4. This gives highly compensated layers ; the 1.477 eV peak appears in all these samples. The kinetics of growth is drastically changed by the excess CH4.