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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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Page(s) | C1-289 - C1-305 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982140 |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-289-C1-305
DOI: 10.1051/jphyscol:1982140
MULTICRYSTALLINE SILICON FOR SOLAR CELLS
D. HelmreichHeliotronic GmbH, D-8263 Burghausen, F.R.G.
Résumé
Des plaquettes de silicium mono et polycristallines utilisables pour
l'élaboration de cellules solaires terrestres, peuvent être préparées soit par
les méthodes en lingots conventionnelles ou non, demandant à postériori le découpage
en plaquettes, soit par des techniques de croissance en couches minces.
Le pour et le contre des diverses méthodes de croissance et des différentes
qualités de silicium polycristallin ainsi élaboré sont discutés en tenant
compte : 1. des avantages et perspectives des différentes méthodes de croissance
et de leurs possibilités à long terme, 2. de la possibilité d'intégration
d'étapes de raffinement dans la technique, 3. de la répercussion des
méthodes de croissance sur la qualité du matériau et 4. des propriétés photoélectriques.
L'utilisation positive d'un matériau de qualité solaire d'une
moins grande pureté demande non seulement des modifications des techniques
de croissance mais aussi des méthodes d'élaboration des cellules en rapport
avec les feuilles de silicium utilisées.
Abstract
Single and multicrystalline silicon wafers for terrestrial solar
cell application can be prepared either by semi- and unconventional bulk
growth methods including post growth wafering or by a variety of sheet growth
techniques. Pros and cons of the various growth techniques and the different
multicrystalline silicon qualities obtained with them are discussed in the
light of : 1. issues and benefits of individual growth techniques and their potential
in long-range conceptualization, 2. possibility of integrating refining
steps, 3. repercussion of growth techniques on material quality, and
4. photoelectric properties. A successful utilization of a solar grade starting
material with lower purity requires not only modifications of individual
growth techniques but also solar cell preparation techniques adjusted to the
respective silicon sheet material.