Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-289 - C1-305
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982140
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-289-C1-305

DOI: 10.1051/jphyscol:1982140

MULTICRYSTALLINE SILICON FOR SOLAR CELLS

D. Helmreich

Heliotronic GmbH, D-8263 Burghausen, F.R.G.


Résumé
Des plaquettes de silicium mono et polycristallines utilisables pour l'élaboration de cellules solaires terrestres, peuvent être préparées soit par les méthodes en lingots conventionnelles ou non, demandant à postériori le découpage en plaquettes, soit par des techniques de croissance en couches minces. Le pour et le contre des diverses méthodes de croissance et des différentes qualités de silicium polycristallin ainsi élaboré sont discutés en tenant compte : 1. des avantages et perspectives des différentes méthodes de croissance et de leurs possibilités à long terme, 2. de la possibilité d'intégration d'étapes de raffinement dans la technique, 3. de la répercussion des méthodes de croissance sur la qualité du matériau et 4. des propriétés photoélectriques. L'utilisation positive d'un matériau de qualité solaire d'une moins grande pureté demande non seulement des modifications des techniques de croissance mais aussi des méthodes d'élaboration des cellules en rapport avec les feuilles de silicium utilisées.


Abstract
Single and multicrystalline silicon wafers for terrestrial solar cell application can be prepared either by semi- and unconventional bulk growth methods including post growth wafering or by a variety of sheet growth techniques. Pros and cons of the various growth techniques and the different multicrystalline silicon qualities obtained with them are discussed in the light of : 1. issues and benefits of individual growth techniques and their potential in long-range conceptualization, 2. possibility of integrating refining steps, 3. repercussion of growth techniques on material quality, and 4. photoelectric properties. A successful utilization of a solar grade starting material with lower purity requires not only modifications of individual growth techniques but also solar cell preparation techniques adjusted to the respective silicon sheet material.