ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTING FILMS

Résumé
La microstructure des films semi-conducteurs polycristallins dépend étroitement des processus de nucléation et de croissance et donc des conditions de dépôt. En général, une croissance anisotrope sous forme de colonnes séparées par des régions intergranulaires prend place dans le film. La structure électronique des régions intergranulaires dépend du type et de la concentration des pièges, défauts et impuretés présents. En plus, de l'influence de l'épaisseur, le potentiel du joint de grain affecte la concentration et/ou la mobilité des porteurs impliqués dans le processus de transport. L'absorption optique, la position et la forme du bord d'absorption des couches minces des semi-conducteurs dépendent de la microstructure. Les résultats sur le transport électronique et les propriétés optiques de quelques couches minces de chalcogénures et oxydes semi-conducteurs seront révisés à la lumière de quelques phénomènes intergranulaires. La possibilité d'activation ou de passivation de l'activité électronique des joints de grains et leurs effets sur les performances de dispositifs tels que cellules solaires en couche mince, et varistor seront discutés.

Abstract
The microstructure of polycrystalline semiconducting films is strongly dependent on nucleation and growth processes and hence deposition parameters. In general, anisotropic growth in the form of columns separated by intergranular regions takes place in the film. The electronic structure of the intergranular regions depends on the type and concentration of traps, defects and impurities present. Besides the thickness dependence, grain boundary potential affects the concentration and/or mobility of the carriers involved in the transport processes. The optical absorption and the position and shape of the absorption edge of the semiconducting films are affected by the microstructure. Results on the electron transport and optical properties of some chalcogenide and oxide semiconducting films will be reviewed in the light of various grain boundary phenomena. The possibility of activation or passivation of the electronic activity of grain boundaries and their effects on the performance of such devices as thin film solar cells and varistors will be discussed.