| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C7-283 - C7-292 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981734 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-283-C7-292
DOI: 10.1051/jphyscol:1981734
Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Laboratoire associé au C.N.R.S., LA 21, Greco Microondes et G.CIS., 34060 Montpellier Cedex, France
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-283-C7-292
DOI: 10.1051/jphyscol:1981734
DURATION OF COLLISIONS IN SEMICONDUCTORS
J.P. Nougier, J.C. Vaissière et D. GasquetUniversité des Sciences et Techniques du Languedoc, Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Laboratoire associé au C.N.R.S., LA 21, Greco Microondes et G.CIS., 34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Une des hypothèses de validité de l'équation de Boltzmann est que les collisions sont instantanées. Nous montrons dans cet article que, pour les interactions usuelles dans les semiconducteurs, la durée de collision peut être estimée à ≈ 5 x 10-13 sec et n'est donc pas négligeable devant la durée de libre parcours moyen.
Abstract
One of the basic hypothesis involved in the Boltzmann equation is that the collisions are instantaneous. In this paper it is shown that, for usual scattering processes in semiconductors, the collision duration can be estimated to be ≈ 5 x 10-13 sec, which is therefore not at all negligible compared with the mean free flight duration.