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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-3 - C7-17 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981701 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-3-C7-17
DOI: 10.1051/jphyscol:1981701
Department of Electrical Engineering and the Coordinated Science Laboratory University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, U.S.A.
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-3-C7-17
DOI: 10.1051/jphyscol:1981701
LATERAL TRANSPORT IN SUPERLATTICES
K. HessDepartment of Electrical Engineering and the Coordinated Science Laboratory University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, U.S.A.
Résumé
Des résultats théoriques et expérimentaux sur le transport latéral dans des hétérojonctions sont présentés. On a montré que le changement des conditions aux limites (périodiques ou non) donne naissance à une série de nouveaux effets prometteurs d'applications aux composants. Ces effets seront présentés en insistant sur l'analogie entre l'espace réel et l'espace des [MATH].
Abstract
Theoretical and experimental results are presented for lateral transport in layered heterojunction structures. It is shown that the variability of boundary conditions (periodic or nonperiodic) gives rise to a series of novel effects with high device potential. These effects will be presented stressing the real-space - [MATH]-space analogy.