| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCELATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS |
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|---|---|---|
| Page(s) | C6-279 - C6-283 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980671 | |
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-279-C6-283
DOI: 10.1051/jphyscol:1980671
PLENARY SESSION
P. D. Townsend1 et F. Agullo-Lopez2
1 University of Sussex, Brighton, BN1 9QH, U.K.
2 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de Madrid, Madrid 34, Spain
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-279-C6-283
DOI: 10.1051/jphyscol:1980671
PLENARY SESSION
Primary processes in radiation damage
P. D. Townsend1 et F. Agullo-Lopez2 1 University of Sussex, Brighton, BN1 9QH, U.K.
2 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma de Madrid, Madrid 34, Spain
Résumé
Dans cet article, une revue des mécanismes les plus probables, produisant des défauts intrinsèques dans les isolants et semi-conducteurs par absorption des photons ou des électrons à basse énergie, est présentée. Des informations générales sont données pour ces solides, mais seul le cas des halogénures alcalins est examiné en détail, grâce aux résultats expérimentaux et théoriques.
Abstract
This paper surveys the low energy processes which might lead to the generation of intrinsic defects in insulators and semiconductors. Several clear guidelines are apparent but only for the alkali halides has there been sufficient experimental and theoretical work to study the defect mechanisms in depth.