| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C6, Juin 1979
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C6-91 - C6-94 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979619 | |
International Symposium on Dislocations in Tetrahedrally Coordinated Semiconductors
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-91-C6-94
DOI: 10.1051/jphyscol:1979619
Solid-State Physics Institute USSR Academy of Sciences 142432 Chernogolovka USSR
J. Phys. Colloques 40 (1979) C6-91-C6-94
DOI: 10.1051/jphyscol:1979619
OPTICAL PROPERTIES OF II-VI COMPOUNDS WITH DISLOCATIONS
N.V. Klassen et Yu.A. OssipyanSolid-State Physics Institute USSR Academy of Sciences 142432 Chernogolovka USSR
Résumé
On étudie l'influence des dislocations sur l'absorption de la lumière et la recombinaison des électrons excités dans le sulfure et le séléniure de cadmium, ainsi que la focalisation de la lumière par les dislocations. Les résultats sont utilisés pour analyser les états électroniques localisés et les champs électriques produits par les différents types de dislocations.
Abstract
The work treats the influence of dislocations on light absorption and recombination of electron excitations in Cds and CdSe and, also light focusing by dislocations. The data involved are used to analyse the localized electron states and electric fields produced by different dislocations.