| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C5, Mai 1979
Colloque International du C.N.R.S.La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths |
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|---|---|---|
| Page(s) | C5-372 - C5-373 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19795132 | |
Colloque International du C.N.R.S.
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-372-C5-373
DOI: 10.1051/jphyscol:19795132
Department of Physics, University of California, Irvine, California 92717, U.S.A.
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-372-C5-373
DOI: 10.1051/jphyscol:19795132
Influence of fd mixing on electronic impurity levels in rare earth semiconducting compounds
R. Camley, J.C. Parlebas, K.R. Subbaswamy et D.L. MillsDepartment of Physics, University of California, Irvine, California 92717, U.S.A.
Résumé
Nous étudions les énergies des niveaux électroniques des premiers voisins d'une impureté anionique de substitution dans un composé de type SmS. Dans le cas d'une hybridation entre les états localisés et la bande de conduction, nous trouvons qu'une transition de valence localisée peut apparaître entre les niveaux f et les orbitales de la bande de conduction.
Abstract
We consider the electronic energy levels on the nearest neighbors to a substitutional anion impurity in a SmS type compound. In the presence of mixing between the localized f levels and the conduction band, we find a local valence transition may occur between the f levels and conduction band orbitals on the nearest neighbors.