ELECTRIC AND MAGNETIC PROPERTIES OF V_x Ti_1-xS₂

Résumé
Les propriétés de transport (résistivité et effet Hall), et les propriétés magnétiques (susceptibilité) ont été mesurées dans le système V_x Ti_1-xS₂ (0 ≤ x < 0,10) entre 4 et 300 K. Pour x ≤ 0,02 la résistivité varie comme T² avec apparition de minimum vers 20 K. Les cristaux fortement dopés (0,04 ≤ x < 0,10) ont un comportement semiconducteur avec un "gap" dependant de la température. La susceptibilité magnétique obéit à une loi du type Curie-Weiss correspondant à des ions V³⁺, avec apparition d'un ordre ferrimagnétique à basse température associé aux anomalies observées dans la résistivité. L'état semiconducteur peut être expliqué par une localisation du type Anderson des électrons de conduction.

Abstract
Electrical conductivity, magnetic susceptibility, and Hall voltage have been measured from 4 to 300 K on V_x Ti_1-xS₂ (0 ≤ x < 0.10). T² dependence in resistivity was observed for for x ≤ 0.02 with resistivity minima at 20 K suggesting a local moment in agreement with magnetic susceptibility measurements. Crystals with 0.04 ≤ x < 0.10 exhibit semiconducting behavior with temperature dependent "band gap", we suggest Anderson localization of conduction electrons. Magnetic susceptibility data show Curie-type behavior corresponding to V⁺³ with ferrimagnetic ordering at low temperature. Anomalies in resistivity were observed at temperatures corresponding to ordering in the susceptibility.