LE RÔLE DES AGGLOMÉRATS D'INTERSTITIELS DANS LA FORMATION DES DÉFAUTS DE FRENKEL DANS LES HALOGÉNURES ALCALINS

Résumé
La concentration en centres F dans KBr et KCl sous irradiation électronique à la température de l'azote liquide évolue comme t^0,75 pour des cristaux purs et comme t^0,5 pour des cristaux dopés ou impurs. La discussion de ces résultats, à l'aide d'un modèle selon lequel la stabilisation des interstitiels détermine le taux de croissance, conduit aux conclusions suivantes : 1) La probabilité de capture d'un interstitiel par un piège est fonction de la taille du piège dans les cristaux purs ; 2) La probabilité de capture est indépendante de la taille dans les cristaux impurs. Ceci s'explique en supposant une interaction à longue distance entre l'interstitiel et le piège.

Abstract
The F centres concentration in KBr and KCl grows under electron irradiation at LNT as t^0.75 in pure and as t^0.5 in doped or impur crystals. The discussion of these findings, using a model according to which the growth rate is determined by interstitial stabilisation, results in the following conclusions : 1) The interstitial capture probability by a trap varies with the trap size in the pure crystals ; 2) The capture probability is independent of the trap size in the impure samples. This can be explained by a long range interaction between traps and interstitials.