LOCALIZED ELECTRONIC STATES ON PURE AND CONTAMINATED CRYSTAL SURFACES, ESPECIALLY SURFACES OF DIAMOND-LIKE SEMICONDUCTORS

Résumé
On discute le problème d'un électron interagissant avec une surface de cristal en termes généraux. Dans ce lien, les avantages de la méthode suggérée avant quelque temps par l'auteur pour le calcul de structure complexe de bandes et des états électroniques localisés sur les surfaces solides, sont soulignées et la relation de cette et d'autres méthodes à un électron est montrée. Les résultats obtenus pour la structure complexe de bandes et des états de surface de Shockley de semiconducteurs avec le réseau du diamant, sont résumés dans une manière qualitative. Particulièrement, les résultats acquis pour la structure complexe de bandes de silicon dans la direction (111) de la zone de Brillouin et pour les états électroniques de surface et chimisorption de Shockley et Tamm localisés sur la face (111) du même cristal, sont présentés et discutés en détail.

Abstract
The problem of an electron interacting with a crystal surface is discussed in general terms. In this connection, advantages of a method suggested some time ago by the author for the calculation of the complex band structure and localized electronic states on solid surfaces are emphasized and the relation of this and other one-electron methods is shown. Results which have been obtained for the complex band structure and Shockley surface states of diamond and diamond-like semiconductors by the mentioned method and by related methods are summarized and discussed in a qualitative way. Especially the results for the complex band structure of silicon in the Brillouin zone (111) direction and Shockley and Tamm surface and chemisorption localized electronic states on the (111) surface of the same crystal are presented and discussed in some detail.