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Article cité :

INTERFACIAL DEFECTS IN GaAs/Si AFTER ANNEALING

A. ROCHER, M.-N. CHARASSE, B. BARTENLIAN, J. CHAZELAS

J. Phys. Colloques, 51 C1 (1990) C1-915-C1-920

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:19901144

PDF (2.099 MB)

Citations de cet article :

The source of the threading dislocation in GaSb/GaAs hetero-structures and their propagation mechanism

Yi Wang, P. Ruterana, S. Kret, et al.
Applied Physics Letters 102 (5) 052102 (2013)
DOI: 10.1063/1.4790296
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Metalorganic vapor phase epitaxy of III–V-on-silicon: Experiment and theory

Oliver Supplie, Oleksandr Romanyuk, Christian Koppka, et al.
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 64 (4) 103 (2018)
DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2018.07.002
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