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Article cité :

PULSED LASER ATOM PROBE CHARACTERIZATION OF SILICON CARBIDE

M.K. MILLER, P. ANGELINI, A. CEREZO, K.L. MORE

J. Phys. Colloques, 50 C8 (1989) C8-459-C8-464

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989878

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Citations de cet article :

Nanometer-scale isotope analysis of bulk diamond by atom probe tomography

R. Schirhagl, N. Raatz, J. Meijer, et al.
Diamond and Related Materials 60 60 (2015)
DOI: 10.1016/j.diamond.2015.10.016
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Invited Review Article: Atom probe tomography

Thomas F. Kelly and Michael K. Miller
Review of Scientific Instruments 78 (3) 031101 (2007)
DOI: 10.1063/1.2709758
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Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography

Robert Estivill, Adeline Grenier, Sébastien Duguay, et al.
Ultramicroscopy 159 223 (2015)
DOI: 10.1016/j.ultramic.2015.03.014
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Evaluation of Analysis Conditions for Laser-Pulsed Atom Probe Tomography: Example of Cemented Tungsten Carbide

Zirong Peng, Pyuck-Pa Choi, Baptiste Gault and Dierk Raabe
Microscopy and Microanalysis 23 (2) 431 (2017)
DOI: 10.1017/S1431927616012654
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