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Citations de cet article :

Atomic-resolution study of polarity reversal in GaSb grown on Si by scanning transmission electron microscopy

S. Hosseini Vajargah, S. Y. Woo, S. Ghanad-Tavakoli, et al.
Journal of Applied Physics 112 (9) 093101 (2012)
DOI: 10.1063/1.4759160
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Experimental and theoretical study of Σ = 3 incoherent twin boundary in β-SiC

Koji Tanaka and Masanori Kohyama
Philosophical Magazine A 82 (2) 215 (2002)
DOI: 10.1080/01418610208239595
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