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Article cité :

JFET FOR COMPLETELY DEPLETED HIGH RESISTIVITY SILICON

V. RADEKA, P. REHAK, S. RESCIA, E. GATTI, A. LONGONI, M. SAMPIETRO, G. BERTUCCIO, P. HOLL, L. STRUDER, J. KEMMER

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PDF (1.242 MB)

Citations de cet article :

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Instrument of Progress: The Scientific Career of Emilio Gatti, In His Own Words

Emilio Gatti
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First results with the pn-CCD detector system for the XMM satellite mission

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Monolithic integration of a nuclear radiation sensor and transistors on high-purity silicon

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