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Citations de cet article :

Compact Trap-Assisted-Tunneling Model for Line Tunneling Field-Effect-Transistor Devices

Faraz Najam and Yun Seop Yu
Applied Sciences 10 (13) 4475 (2020)
DOI: 10.3390/app10134475
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A physically based compact model of partially depleted SOI MOSFETs for analog circuit simulation

M.S.L. Lee, B.M. Tenbroek, W. Redman-White, J. Benson and M.J. Uren
IEEE Journal of Solid-State Circuits 36 (1) 110 (2001)
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T. Smedes and F.M. Klaassen
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