NEW PHASES OF SEMICONDUCTORS AT ULTRAHIGH PRESSURE
J. Phys. Colloques, 45 C8 (1984) C8-407-C8-410
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Ab initio study of the enthalpy barriers of the high-pressure phase transition from the cubic-diamond to the β-tin structure of silicon and germanium
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Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a - Lattice Properties
Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a - Lattice Properties a 1 (2001)https://doi.org/10.1007/10551045_223
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Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a - Lattice Properties
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Crystal data for high-pressure phases of silicon
Jing Hu, Larry Merkle, Carmen Menoni and Ian SpainPhysical Review B 34 (7) 4679 (1986)
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