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Citations de cet article :

L12 Ordered Alloys

K. Maeda and S. Takeuchi
Dislocations in Solids, L12 Ordered Alloys 10 443 (1996)
DOI: 10.1016/S1572-4859(96)80009-X
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Thermally Activated Mechanisms in Crystal Plasticity

Pergamon Materials Series, Thermally Activated Mechanisms in Crystal Plasticity 8 227 (2003)
DOI: 10.1016/S1470-1804(03)80037-8
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Extension of the Kadic̀-Edelen gauge model: Electronic properties of defect systems

V.A. Osipov
Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 175 (3) 369 (1991)
DOI: 10.1016/0378-4371(91)90238-8
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Stress dependence of dislocation glide activation energy in single-crystal silicon-germanium alloys up to 2.6 GPa

Brian Dodson and Jeffrey Tsao
Physical Review B 38 (17) 12383 (1988)
DOI: 10.1103/PhysRevB.38.12383
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First-principles calculations of the energy barrier to dislocation motion in Si and GaAs

S. Öberg, P. K. Sitch, R. Jones and M. I. Heggie
Physical Review B 51 (19) 13138 (1995)
DOI: 10.1103/PhysRevB.51.13138
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The Impact of Dislocation Structure on Impurity Decoration of Dislocation Clusters in Multicrystalline Silicon

Maulid Kivambe, Gaute Stokkan, Torunn Ervik, et al.
Solid State Phenomena 205-206 71 (2013)
DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.71
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The equilibrium structures of the 90° partial dislocation in silicon

Alexander Valladares and A P Sutton
Journal of Physics: Condensed Matter 17 (48) 7547 (2005)
DOI: 10.1088/0953-8984/17/48/008
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