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Article cité :

GRAIN BOUNDARIES INTRODUCED DEEP LEVELS IN POLYSILICON

B.A. Lombos, S. Yee, M. Pietrantonio, M. Averous

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Citations de cet article :

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Trap-Assisted Dopant Compensation Prevents Shunting in Poly-Si Passivating Interdigitated Back Contact Silicon Solar Cells

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Analysis of Silicon Solar Cells With Poly-Si/SiOx Carrier-Selective Base and Emitter Contacts

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