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Article cité :

TEM INVESTIGATION OF COPPER PRECIPITATION AT GRAIN BOUNDARIES IN SILICON

U. JENDRICH, H.-J. MÖLLER

J. Phys. Colloques, 51 C1 (1990) C1-197-C1-202

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990130

PDF (1.615 MB)

Citations de cet article :

Platelet copper precipitates in silicon: A high-resolution electron microscopy study

Mohamed El Kajbaji and Jany Thibault
Philosophical Magazine Letters 71 (6) 335 (1995)
https://doi.org/10.1080/09500839508241016

Structure of copper precipitates in a symmetrical silicon tilt bicrystal: High-resolution electron microscopy and energy-dispersive X-ray analysis

Mohamed Elkajbaji, Jacques Dessus and Jany Thibault
Philosophical Magazine A 66 (6) 873 (1992)
https://doi.org/10.1080/01418619208247996

The electronic properties of copper-decorated twinned boundaries in silicon

A. Broniatowski and C. Haut
Philosophical Magazine Letters 62 (6) 407 (1990)
https://doi.org/10.1080/09500839008215543