HRTEM INSITU OBSERVATION OF GRAIN BOUNDARY MIGRATION OF SILICON Σ BOUNDARY AND ITS STRUCTURAL TRANSFORMATION AT 1000K
J. Phys. Colloques, 51 C1 (1990) C1-185-C1-190
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The structure of intercrystalline interfaces
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Mode of growth and microstructure of polycrystalline silicon obtained by solid‐phase crystallization of an amorphous silicon film
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