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Article cité :

HVEM AND HREM OF INTERFACES IN ALUMINIUM NITRIDE CERAMICS

S. HAGEGE, Y. ISHIDA, S. TANAKA

J. Phys. Colloques, 49 C5 (1988) C5-189-C5-194

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988518

PDF (2.999 MB)

Citations de cet article :

The structures of inversion domain boundaries in AlN ceramics

Yanfa Yan, Masami Terauchi and Michiyoshi Tanaka
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Defect structure of metal‐organic chemical vapor deposition‐grown epitaxial (0001) GaN/Al2O3

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Oxygen incorporation in aluminum nitride via extended defects: Part I. Refinement of the structural model for the planar inversion domain boundary

Alistair D. Westwood, Robert A. Youngman, Martha R. McCartney, Alastair N. Cormack and Michael R. Notis
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