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Article cité :

THE CONTRIBUTION OF LATTICE MATCHING TO THE INTERFACIAL ENERGY BETWEEN DISSIMILAR MATERIALS

H.J. FECHT

J. Phys. Colloques, 49 C5 (1988) C5-171-C5-176

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988515

PDF (1.225 MB)

Citations de cet article :

In situ visualization of silicon wafer casting on silicon carbide as low nucleation undercooling substrate

Victor Lau, Ping-ting Chiang and Chung-wen Lan
Journal of Crystal Growth 566-567 126142 (2021)
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126142

In situ observation and temperature profile study of silicon Thin-sheet growth on quartz and silicon nitride substrates

Victor Lau and Chung-wen Lan
Journal of Crystal Growth 552 125938 (2020)
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125938

Influence of melt carbon and sulfur on the wetting of solid graphite by Fe-C-S melts

C. Wu and V. Sahajwalla
Metallurgical and Materials Transactions B 29 (2) 471 (1998)
https://doi.org/10.1007/s11663-998-0126-7