MOS-DEGRADATION IN INPUT AND OUTPUT STAGES OF VLSI-CMOS-CIRCUITS DUE TO ELECTROSTATIC DISCHARGE
J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-303-C4-306
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Comparison between the effects of positive noncatastrophic HBM ESD stress in n-channel and p-channel power MOSFETs
D. Zupac, K.W. Baum, S.L. Kosier, R.D. Schrimpf and K.F. GallowayIEEE Electron Device Letters 12 (10) 546 (1991)
https://doi.org/10.1109/55.119184
255 (1989)
https://doi.org/10.1109/ICMTS.1989.39319