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Article cité :

GENERATION LIFETIME AND HOLD TIME OF SMALL MOS DEVICES

N.O. PEARCE, A.R. PEAKER, B. HAMILTON

J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-37-C4-40

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988406

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Citations de cet article :

Temperature formation of the inversion layer in metal-oxide-semiconductor structures: Theoretical model and application to the determination of minority-capture cross sections of the gold acceptor level in silicon

D. Vuillaume, M. Lannoo, J. C. Bourgoin and E. Rosencher
Journal of Applied Physics 66 (12) 5920 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.343617