THEORETICAL DESCRIPTION OF THE INFLUENCE OF DISLOCATIONS ON THE LUMINESCENCE OF LIGHT-EMITTING DIODES
J. Phys. Colloques, 44 C4 (1983) C4-423-C4-435
Article cité par
La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).
Article cité :
Citations de cet article :
Dislocation contrast in cathodoluminescence and electron-beam induced current maps on GaN(0 0 0 1)
Karl K Sabelfeld, Vladimir M Kaganer, Carsten Pfüller and Oliver BrandtJournal of Physics D: Applied Physics 50 (40) 405101 (2017)
https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa85c8
Modeling the effect of dislocations on the minority carrier diffusion length of a semiconductor
C. DonolatoJournal of Applied Physics 84 (5) 2656 (1998)
https://doi.org/10.1063/1.368378
A theoretical study of the charge collection contrast of localized semiconductor defects with arbitrary recombination activity
C DonolatoSemiconductor Science and Technology 7 (1) 37 (1992)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/1/007
A contribution to the theory of beam‐induced current characterization of dislocations
L. PasemannJournal of Applied Physics 69 (9) 6387 (1991)
https://doi.org/10.1063/1.348841