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Article cité :

BAND-STRUCTURE DEPENDENT IMPACT IONIZATION IN SILICON AND GALLIUM ARSENIDE

J.Y. Tang, H. Shichijo, K. Hess, G.J. Iafrate

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DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981707

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Citations de cet article :

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Airy-coordinate technique for nonequilibrium Green’s-function approach to high-field quantum transport

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Quantum kinetic equation for electronic transport in nondegenerate semiconductors

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Electron transient response and impact-ionized plasma instability in GaAs at very high electric fields

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