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Article cité :

TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE ELECTRON DRIFT MOBILITY IN HYDROGENATED a-Si PREPARED BY SPUTTERING

T. Tiedje, T.D. Moustakas, J.M. Cebulka

J. Phys. Colloques, 42 C4 (1981) C4-155-C4-158

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981431

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Citations de cet article :

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Transient-photocurrent studies ina−Si:H

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Influence of hydrogen on electronic transport in dc triode sputtered amorphous silicon

Ch. Longeaud, J. Baixeras, E. Arene and D. Mencaraglia
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