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Evidence for isoelectronic Sn for Ge substitution in crystalline and glassy GeSe2

P. Boolchand and Mark Stevens
Physical Review B 29 (1) 1 (1984)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.29.1

Radiation defects in ion-implanted silicon. II. Mössbauer spectroscopy ofSn119defect structures from implantations of radioactive tellurium

A. Nylandsted Larsen, G. Weyer and L. Nanver
Physical Review B 21 (11) 4951 (1980)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.21.4951

Mössbauer emission studies of defect 119Sn, 119Sb, and 119mTe atoms after nuclear decays and reactions in SnSb, SnTe, and Sb2Te3

F. Ambe and S. Ambe
The Journal of Chemical Physics 73 (5) 2029 (1980)
https://doi.org/10.1063/1.440422