Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C9, Décembre 1983
ECIFUAS-4
Fourth European Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids / Quatrième Conférence Européenne sur le Frottement Intérieur et l'Atténuation Ultrasonore dans les Solides
Page(s) C9-729 - C9-734
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19839110
ECIFUAS-4
Fourth European Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids / Quatrième Conférence Européenne sur le Frottement Intérieur et l'Atténuation Ultrasonore dans les Solides

J. Phys. Colloques 44 (1983) C9-729-C9-734

DOI: 10.1051/jphyscol:19839110

ADAPTATION DU MODÈLE DE LA CORDE VIBRANTE AUX DISLOCATIONS FAIBLEMENT ANCRÉES PAR LES DÉFAUTS PONCTUELS

A. Vincent

Laboratoire de Traitement du Signal et Ultrasons et Groupe de Métallurgie Physique et de Physique des Matériaux (LA 341), 69621 Villeurbanne Cedex, France


Résumé
Nous décrivons un calcul de l'atténuation et de la vitesse des ondes ultrasonores applicable dans le domaine de fréquence où l'inertie de la dislocation peut être négligée au regard du frottement visqueux freinant son mouvement. Ce calcul est étendu au cas d'un arc ancré par un défaut ponctuel en prenant en compte la vibration de la dislocation dans la région piégée par le défaut ponctuel. Il apparaît que la contribution complémentaire due à cette vibration au voisinage du défaut ponctuel, omise dans les modèles classiques, n'est pas négligeable dans le cas des interactions faibles. Par ailleurs, l'application d'une contrainte statique accroît cette contribution.


Abstract
The ultrasonic attenuation and velocity due to dislocations are calculated in the frequency range where the inertia can be neglected in front of the viscous damping force acting on dislocations. The model is extended to the case of a loop pinned by a point defect : it incorporates the vibration of the dislocation in the vicinity of the pinning point. This additional contribution to the attenuation may be significant especially for a low binding energy between point defects and dislocations, furthermore this contribution increases when a bias stress is applied.