Supplément au Journal de Physique Colloques

MODELISATION DE TRANSISTORS MOS RÉALISÉS DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS

H. Morel, J.P. Colinge et J.P. Chante

J. Phys. Colloques, 43 C1 (1982) C1-381-C1-385

DOI: 10.1051/jphyscol:1982151

H. Morel

J.P. Colinge

J.P. Chante

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