MOBILITE EFFECTIVE DANS LE CANAL D'INVERSION D'UN TRANSISTOR MOSFET REALISE DANS UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
J. Phys. Colloques, 43 C1 (1982) C1-369-C1-374
DOI: 10.1051/jphyscol:1982149