COMPORTEMENT PHYSICO-CHIMIQUE DE Si3N4 OBTENU PAR LPCVD SOUMIS A DES FLUX RADIATIFS INTENSES A. WANG, D. THENEGAL, C. ROYERE, C. DUPUY et B. ARMASJ. Phys. Colloques, 50 C5 (1989) C5-353-C5-362DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989542
