DÉFAUTS INDUITS DANS Si PAR IMPLANTATION DIRECTE OU A TRAVERS UNE COUCHE DE SiO2 B. Balland, B. Remaki, P. Pinard et E. MercierJ. Phys. Colloques, 44 C5 (1983) C5-319-C5-324DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983548
