MODELISATION DE TRANSISTORS MOS RÉALISÉS DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS H. Morel, J. P. Colinge et J. P. ChanteJ. Phys. Colloques, 43 C1 (1982) C1-381-C1-385DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982151
