STRUCTURE DU SEUIL DE PHOTOÉMISSION ET PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DE SURFACE DU SILICIUM CLIVÉ SOUS ULTRAVIDE C. SEBENNE, G. GUICHAR, D. BOLMONT et M. BALKANSKIJ. Phys. Colloques, 34 C6 (1973) C6-35DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973609
