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Article cité :

ON THE ELECTRICAL ACTIVITY OF THE ((-1)11)-(1(-1)2) STEPS IN THE SILICON Σ = 3 TWIN BOUNDARY

J.-L. MAURICE

J. Phys. Colloques, 51 C1 (1990) C1-581-C1-586

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990191

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Citations de cet article :

Electrical and structural properties of poly-Si films grown by furnace and rapid thermal annealing of amorphous Si

S. Girginoudi, D. Girginoudi, A. Thanailakis, N. Georgoulas and V. Papaioannou
Journal of Applied Physics 84 (4) 1968 (1998)
https://doi.org/10.1063/1.368352

Electrical activity and microstructure of a faceted (1―11)-(11―2), Σ = 3 twin boundary in aluminium-doped silicon

Jean-Luc Maurice
Philosophical Magazine A 68 (5) 951 (1993)
https://doi.org/10.1080/01418619308219378

The Origin of Electrically Active Centers in a Near‐Coincidence Σ9 Grain Boundary in Germanium

N. Wang, P. J. Wilbrandt and P. Haasen
physica status solidi (b) 166 (2) 347 (1991)
https://doi.org/10.1002/pssb.2221660204