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Article cité :

HETEROEPITAXY OF COVALENT SEMICONDUCTORS : FUNDAMENTALS, GROWTH AND CRYSTAL PROPERTIES

A. FREUNDLICH

J. Phys. Colloques, 50 C5 (1989) C5-499-C5-518

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989560

PDF (2.253 MB)

Citations de cet article :

Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates

Stefano Soresi, Mattia da Lisca, Claire Besancon, et al.
EPJ Photovoltaics 14 1 (2023)
https://doi.org/10.1051/epjpv/2022027

Crystallinity degradation and defect development in (AlxGa1−x)2O3 thin films with increased Al composition

Takumi Ohtsuki and Masataka Higashiwaki
Journal of Vacuum Science & Technology A 41 (4) (2023)
https://doi.org/10.1116/6.0002625

Detecting Lake Level Change From 1992 to 2019 of Zhari Namco in Tibet Using Altimetry Data of TOPEX/Poseidon and Jason-1/2/3 Missions

Mingzhi Sun, Jinyun Guo, Jiajia Yuan, et al.
Frontiers in Earth Science 9 (2021)
https://doi.org/10.3389/feart.2021.640553

Observation of anisotropic distribution of microstructure in GaP/GaAs epitaxial layers

Ravi Kumar, V. K. Dixit, Tapas Ganguli, et al.
Journal of Applied Physics 120 (13) (2016)
https://doi.org/10.1063/1.4964095

Defects in GaAs on Si studied with the positron-beam technique

E. Soininen, J. Mäkinen, P. Hautojärvi, et al.
Physical Review B 46 (19) 12394 (1992)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.46.12394