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Article cité :

FIM, RHEED STUDIES ON ATOMATIC STRUCTURE OF Si(111) AND Si(111)-Ag SURFACES

T.S. PARK, C.I. CHUNG, S.M. JUNG, D.Z. JEON

J. Phys. Colloques, 49 C6 (1988) C6-275-C6-280

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988648

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Citations de cet article :

Optical properties of GaN nanowires grown on chemical vapor deposited-graphene

L Mancini, M Morassi, C Sinito, et al.
Nanotechnology 30 (21) 214005 (2019)
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab0570

Morphology Tailoring and Growth Mechanism of Indium-Rich InGaN/GaN Axial Nanowire Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

Martina Morassi, Ludovic Largeau, Fabrice Oehler, et al.
Crystal Growth & Design 18 (4) 2545 (2018)
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.8b00150