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Article cité :

A low-capacitance bipolar/BiCMOS isolation technology. I. Concept, fabrication process, and characterization

J.N. Burghartz, R.C. McIntosh and C.L. Stanis
IEEE Transactions on Electron Devices 41 (8) 1379 (1994)
https://doi.org/10.1109/16.297733

On the leverage of high-f/sub T/ transistors for advanced high-speed bipolar circuits

C.T. Chuang, K. Chin, J.M.C. Stork, et al.
IEEE Journal of Solid-State Circuits 27 (2) 225 (1992)
https://doi.org/10.1109/4.127348