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Article cité :

Investigation of the physical modeling of the gate-depletion effect

P. Habas and J.V. Faricelli
IEEE Transactions on Electron Devices 39 (6) 1496 (1992)
https://doi.org/10.1109/16.137331

Shallow defects responsible for GR noise in MOSFETs

D.C. Murray, A.G.R. Evans and J.C. Carter
IEEE Transactions on Electron Devices 38 (2) 407 (1991)
https://doi.org/10.1109/16.69924